#1 |
数量:42000 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:42000 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:1989 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
CPH6350 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 43 mOhm @ 3A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 13nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 600pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.6W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | 6-CPH |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 6CPH |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 6 A |
RDS -于 | 43@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 7.4 ns |
典型上升时间 | 27 ns |
典型关闭延迟时间 | 62 ns |
典型下降时间 | 45 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.9 |
最大功率耗散 | 1600 |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 43@10V |
最大漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 1.6 |
供应商封装形式 | CPH |
包装长度 | 2.9 |
PCB | 6 |
最大连续漏极电流 | 6 |
引脚数 | 6 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6A (Ta) |
封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
供应商设备封装 | 6-CPH |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 43 mOhm @ 3A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.6W |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 600pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 13nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
配置 | Single |
晶体管极性 | P-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 6 A |
RDS(ON) | 43 mOhms |
功率耗散 | 1.6 W |
最低工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 13 nC |
上升时间 | 27 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 45 ns |
工厂包装数量 | 3000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Qg - Gate Charge | 13 nC |
品牌 | ON Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 P-Channel |
Id - Continuous Drain Current | - 6 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 43 mOhms |
系列 | CPH6350 |
Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
技术 | Si |
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